창신메모리가 17나노 공정으로 만든 DDR5 램을 CL28, 9,000MHz로 오버클럭하는 데 성공했습니다. 현재 삼성과 하이닉스는 10나노 공정을 이용해 메모리를 생산 중입니다. 과거 기술 유출 사건 이후 중국의 반도체 기술 추격 속도가 상당히 빨라졌는데, 국가 차원에서 산업 스파이 단속을 강화해야 할 것입니다. 몇 년 전만 해도 중국이 반도체 분야에서 성공하기 어렵다는 전망이 지배적이었지만, 현재 수준까지 따라온 배경에 대한 이해가 필요해 보입니다.
